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磁控溅射镀膜系统

发布时间:2017/07/03
磁控溅射镀膜系统

  简介:
  RZD450型单室磁控溅射可用于各种半导体的制备,为四靶单样品共溅射结构,可以生长单层膜、多层膜、复合膜、介质膜及铁电微晶薄膜。
  主要技术指标:
  1、极限真空度:8×10-5Pa,恢复真空:抽至7×10-4Pa的时≤40分钟,关机12小时真空度≤5Pa;
  2、真空室:尺寸约?450×450mm,材料:304不锈钢;
  3、在3英寸范围内膜厚均匀性优于±5%,重复性优于±5%;
  4、基片尺寸:直径3英寸;
  5、基片加热温度:500℃,控温精度±1℃;
  6、基片:基片转速0~60转/分,计算机控制,可控可调,;
  7、平面磁控靶:直径?60mm,数量:4支。2支安装普通金属靶材或者半导体材料,靶材厚度为6mm,2支永磁靶可镀制铁磁性材料,靶材厚度为3mm,带水冷,直流电源及射频电源兼容,与基片的距离50~100mm毫米连续可调;
  8、溅射靶电源:直流电源2台:功率:0~500W;射频电源2台:功率500w,配匹配器;
  9、配备膜厚控制仪和探头0~9.9999μm,速率范围0~999.9?/s,膜层数量0~257;
  10、气体控制:气体流量通过质量流量计控制,一路氩气,另一路氮气,流量均为100sccm;质量流量控制仪一台,一拖二形式;
  11、系统配循环水冷机,冷却功率≥1.5KW。具有缺水欠压保护装置,强电缺相保护,超温报警显示等,突然断电维持真空室内的真空状态,保护分子泵。
  结构系统组成:
  采用立式上盖升降方式,磁控靶在下,样品架在上,自下向上沉积方式成膜。该系统主要由真空室系统、真空抽气及真空测量系统、气路系统、磁控溅射靶及电源系统、样品台系统、电控系统及辅助系统等组成
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